mHEMT Technologie
Die benötigten monolithisch integrierten Mikrowellenschaltungen (MMICs, engl. monolithic microwave integrated circuits) zur Realisierung der Hochfrequenzkomponenten, werden in der metamorphen High-Electron-Mobility-Transistor (mHEMT)-Technologie des Fraunhofer IAF gefertigt. Die mHEMTs basieren auf einem Indiumgalliumarsenid (InGaAs) Kanal mit hohem Indiumgehalt, um ein exzellentes Rauschverhalten, vergleichbar mit Indiumphosphid (InP) basierten HEMTs, zu erzielen. Dabei werden konventionelle Galliumarsenid (GaAs) Wafer verwendet, was die Technologie kosteneffizient gestaltet. Um die unterschiedlichen Gitterkonstanten zwischen dem GaAs-Substrat und den aktiven Schichten aneinander anzupassen, wird eine metamorphe Pufferschicht auf das Substrat aufgewachsen. Aufgrund der hohen Elektronenbeweglichkeit im Kanal und des Einschlusses der Ladungsträger in einem Quantentopf mit zweidimensionalem Elektronengas (2DEG), eignet sich die HEMT-Technologie besonders für hochfrequente und rauscharme Anwendungen.